SQ2361ES-T1_GE3
제조업체 제품 번호:

SQ2361ES-T1_GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SQ2361ES-T1_GE3-DG

설명:

MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
상세 설명:
P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount

재고:

67194 새로운 원본 재고 있음
12920626
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제출

SQ2361ES-T1_GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
177mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
550 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
SQ2361

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SQ2361ES-T1_GE3DKR
SQ2361ES-T1_GE3CT
SQ2361ES-T1-GE3
SQ2361ES-T1_GE3TR
SQ2361ES-T1_GE3-DG
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FDN5618P
제조사
onsemi
구매 가능 수량
31131
부품 번호
FDN5618P-DG
단가
0.11
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SQ2361ES-T1_BE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
23050
부품 번호
SQ2361ES-T1_BE3-DG
단가
0.19
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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