제조업체 제품 번호:
SQM120N10-3M8_GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SQM120N10-3M8_GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
상세 설명:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
300 새로운 원본 재고 있음
12918176
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제출
SQM120N10-3M8_GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7230 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
375W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
SQM120
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SQM120N10-3M8_GE3DKR
SQM120N10-3M8_GE3-DG
SQM120N10-3M8_GE3CT
SQM120N10-3M8_GE3TR
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPB049N08N5ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1859
부품 번호
IPB049N08N5ATMA1-DG
단가
0.92
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BUK765R0-100E,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
15619
부품 번호
BUK765R0-100E,118-DG
단가
1.73
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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