SQP50P03-07_GE3
제조업체 제품 번호:

SQP50P03-07_GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SQP50P03-07_GE3-DG

설명:

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
상세 설명:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB

재고:

12918643
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

SQP50P03-07_GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5380 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
SQP50

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SQP50P03-07_GE3TRINACTIVE
SQP50P03-07_GE3TR-DG
SQP50P03-07_GE3DKR
SQP50P03-07_GE3DKR-DG
SQP50P03-07_GE3CT-DG
SQP50P03-07_GE3TR
SQP50P03-07_GE3CT
SQP50P03-07_GE3DKRINACTIVE
표준 패키지
500

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SI5440DC-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

vishay-siliconix

SIB488DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6

vishay-siliconix

SI7601DN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6