제조업체 제품 번호:
SUD50P06-15-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SUD50P06-15-GE3-DG
설명:
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
상세 설명:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount TO-252AA
재고:
12786901
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제출
SUD50P06-15-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
15mOhm @ 17A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4950 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 113W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
SUD50
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SUD50P0615GE3
SUD50P06-15-GE3DKR
SUD50P06-15-GE3CT
SUD50P06-15-GE3TR
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
2361
부품 번호
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
단가
0.84
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
2000
부품 번호
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
단가
0.74
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SUD50P06-15-BE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
3800
부품 번호
SUD50P06-15-BE3-DG
단가
1.05
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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