제조업체 제품 번호:
SUG90090E-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SUG90090E-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
상세 설명:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
재고:
12918255
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SUG90090E-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
ThunderFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
7.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5220 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
395W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AC
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SUG90090
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SUG90090E-GE3DKRINACTIVE
SUG90090E-GE3CTINACTIVE
SUG90090E-GE3DKR
SUG90090E-GE3TR
742-SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3TR-DG
SUG90090E-GE3CT
SUG90090E-GE3CT-DG
SUG90090E-GE3DKR-DG
표준 패키지
25
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFP4668PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
8420
부품 번호
IRFP4668PBF-DG
단가
4.38
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SI4456DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
SI3867DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
