제조업체 제품 번호:
SUP40N10-30-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SUP40N10-30-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 100 V 38.5A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
12920437
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SUP40N10-30-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
38.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
30mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.1W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
SUP40
추가 정보
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PHP45NQ10T,127
제조사
NXP Semiconductors
구매 가능 수량
4909
부품 번호
PHP45NQ10T,127-DG
단가
0.98
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF3710PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
3201
부품 번호
IRF3710PBF-DG
단가
0.64
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
AUIRF540Z
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
2924
부품 번호
AUIRF540Z-DG
단가
1.03
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN027-100PS,127
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
21891
부품 번호
PSMN027-100PS,127-DG
단가
0.67
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP60NF10
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
980
부품 번호
STP60NF10-DG
단가
1.23
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SISH402DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
SQ7415AENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
SQJQ466E-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
