IRFBF30S
제조업체 제품 번호:

IRFBF30S

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

IRFBF30S-DG

설명:

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

재고:

13049637
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

IRFBF30S 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
포장
Tube
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
900 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IRFBF30

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
*IRFBF30S
표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IRF540NSTRLPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7309
부품 번호
IRF540NSTRLPBF-DG
단가
0.52
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB6NK90ZT4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STB6NK90ZT4-DG
단가
1.32
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
vishay

IRF830AL

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK

vishay

2N6661JTXP02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

vishay

IRF610STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

vishay

IRF840SPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK