제조업체 제품 번호:
SI3475DV-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI3475DV-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
상세 설명:
P-Channel 200 V 950mA (Tc) Surface Mount 6-TSOP
재고:
13057239
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제출
SI3475DV-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
포장
Cut Tape (CT)
부품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.61Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
500 pF @ 50 V
FET 기능
-
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
SI3475
추가 정보
다른 이름들
SI3475DV-T1-GE3DKR
SI3475DV-T1-GE3CT
SI3475DV-T1-GE3TR
Q9162672
SI3475DVT1GE3
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI3437DV-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
14589
부품 번호
SI3437DV-T1-GE3-DG
단가
0.28
대체 유형
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