SI3867DV-T1-E3
제조업체 제품 번호:

SI3867DV-T1-E3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI3867DV-T1-E3-DG

설명:

MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP
상세 설명:
P-Channel 20 V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

재고:

13061976
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제출

SI3867DV-T1-E3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
51mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±12V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.1W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
SI3867

추가 정보

다른 이름들
SI3867DVT1E3
SI3867DV-T1-E3DKR
SI3867DV-T1-E3CT
SI3867DV-T1-E3TR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
DMP2033UVT-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
0
부품 번호
DMP2033UVT-7-DG
단가
0.11
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDC640P
제조사
onsemi
구매 가능 수량
6642
부품 번호
FDC640P-DG
단가
0.16
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SI3443CDV-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
3901
부품 번호
SI3443CDV-T1-GE3-DG
단가
0.14
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDC638P
제조사
onsemi
구매 가능 수량
4802
부품 번호
FDC638P-DG
단가
0.16
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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