제조업체 제품 번호:
SI4532CDY-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI4532CDY-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
상세 설명:
Mosfet Array 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SOIC
재고:
4029 새로운 원본 재고 있음
13055046
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제출
SI4532CDY-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
생산자
Vishay Siliconix
시리즈
TrenchFET®
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6A, 4.3A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
305pF @ 15V
전력 - 최대
2.78W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
기본 제품 번호
SI4532
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI4532CDY-T1-GE3DKR
SI4532CDY-T1-GE3CT
SI4532CDY-T1-GE3-ND
SI4532CDYT1GE3
SI4532CDY-T1-GE3TR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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