SI5947DU-T1-GE3
제조업체 제품 번호:

SI5947DU-T1-GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI5947DU-T1-GE3-DG

설명:

MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
상세 설명:
Mosfet Array 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

재고:

13056476
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제출

SI5947DU-T1-GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
생산자
Vishay Siliconix
시리즈
TrenchFET®
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
480pF @ 10V
전력 - 최대
10.4W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
PowerPAK® ChipFET™ Dual
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® ChipFet Dual
기본 제품 번호
SI5947

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SI5947DU-T1-GE3TR
SI5947DUT1GE3
SI5947DU-T1-GE3CT
SI5947DU-T1-GE3DKR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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