SI8467DB-T2-E1
제조업체 제품 번호:

SI8467DB-T2-E1

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI8467DB-T2-E1-DG

설명:

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
상세 설명:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

재고:

13058383
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제출

SI8467DB-T2-E1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
73mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
475 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
4-Microfoot
패키지 / 케이스
4-XFBGA, CSPBGA
기본 제품 번호
SI8467

추가 정보

다른 이름들
SI8467DB-T2-E1TR
SI8467DBT2E1
SI8467DB-T2-E1CT
SI8467DB-T2-E1DKR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
SI8489EDB-T2-E1
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
4861
부품 번호
SI8489EDB-T2-E1-DG
단가
0.12
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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