제조업체 제품 번호:
SIHD3N50DT4-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHD3N50DT4-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
상세 설명:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
재고:
13008372
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제출
SIHD3N50DT4-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
D
포장
Tube
부품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
175 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
69W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
SIHD3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
대체 모델
부품 번호
AOD3N50
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
8729
부품 번호
AOD3N50-DG
단가
0.21
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFR420APBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
2918
부품 번호
IRFR420APBF-DG
단가
0.49
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RJK4002DPD-00#J2
제조사
Renesas Electronics Corporation
구매 가능 수량
6000
부품 번호
RJK4002DPD-00#J2-DG
단가
0.50
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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