제조업체 제품 번호:
SIHF18N50D-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHF18N50D-E3-DG
설명:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
상세 설명:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
재고:
419 새로운 원본 재고 있음
13062938
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제출
SIHF18N50D-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
포장
Tube
부품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
280mOhm @ 9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
39W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
SIHF18
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIHF18N50DE3
742-SIHF18N50D-E3
SIHF18N50D-E3-ND
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STF19NM50N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
982
부품 번호
STF19NM50N-DG
단가
1.99
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SIHA15N50E-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
1000
부품 번호
SIHA15N50E-GE3-DG
단가
0.82
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK15A50D(STA4,Q,M)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
65
부품 번호
TK15A50D(STA4,Q,M)-DG
단가
1.37
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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