제조업체 제품 번호:
SIHH11N65E-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHH11N65E-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
상세 설명:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
재고:
13007559
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제출
SIHH11N65E-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
363mOhm @ 6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1257 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
130W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 8 x 8
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
SIHH11
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
DIGI 인증
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