제조업체 제품 번호:
SISS27DN-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SISS27DN-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
상세 설명:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
재고:
27000 새로운 원본 재고 있음
13009806
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제출
SISS27DN-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5250 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도
-50°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스
PowerPAK® 1212-8S
기본 제품 번호
SISS27
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
DIGI 인증
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