제조업체 제품 번호:
SQ3460EV-T1_GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SQ3460EV-T1_GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
상세 설명:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
재고:
1053 새로운 원본 재고 있음
13059993
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SQ3460EV-T1_GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1060 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.6W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
SQ3460
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SQ3460EV-T1_GE3TR-ND
SQ3460EV-T1_GE3CT-ND
742-SQ3460EV-T1_GE3DKR
SQ3460EV-T1_GE3CT
742-SQ3460EV-T1_GE3CT
SQ3460EV-T1-GE3TR
SQ3460EV-T1_GE3DKR-ND
SQ3460EV-T1-GE3CT-ND
SQ3460EV-T1-GE3DKR-ND
SQ3460EV-T1-GE3TR-ND
SQ3460EV-T1_GE3TR
SQ3460EV-T1-GE3DKR
742-SQ3460EV-T1_GE3TR
SQ3460EVT1GE3
SQ3460EV-T1-GE3CT
SQ3460EV-T1-GE3
SQ3460EV-T1_GE3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STT5N2VH5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
5800
부품 번호
STT5N2VH5-DG
단가
0.16
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RUQ050N02TR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2985
부품 번호
RUQ050N02TR-DG
단가
0.31
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SI4010DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
SI4346DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO
SUD50N03-09P-E3
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
