SQJ464EP-T1_GE3
제조업체 제품 번호:

SQJ464EP-T1_GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SQJ464EP-T1_GE3-DG

설명:

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
상세 설명:
N-Channel 60 V 32A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

재고:

11585 새로운 원본 재고 있음
13006098
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제출

SQJ464EP-T1_GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
32A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2086 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
45W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
기본 제품 번호
SQJ464

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트
DIGI 인증
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