제조업체 제품 번호:
SUP90N15-18P-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SUP90N15-18P-E3-DG
설명:
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 150 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
13007942
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SUP90N15-18P-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
포장
Tube
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
150 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
90A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4180 pF @ 75 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
SUP90
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFB4228PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
979
부품 번호
IRFB4228PBF-DG
단가
1.84
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPP200N15N3GXKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
10256
부품 번호
IPP200N15N3GXKSA1-DG
단가
1.32
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFB4321PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
228
부품 번호
IRFB4321PBF-DG
단가
1.36
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SUP85N15-21-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
0
부품 번호
SUP85N15-21-E3-DG
단가
2.33
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SUD06N10-225L-E3
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
SQ4483EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
SQ4483BEEY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
