XP2N1K2EN1
제조업체 제품 번호:

XP2N1K2EN1

Product Overview

제조사:

YAGEO XSEMI

부품 번호:

XP2N1K2EN1-DG

설명:

MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
상세 설명:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SOT-723

재고:

1000 새로운 원본 재고 있음
13001041
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제출

XP2N1K2EN1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
XP2N1K2E
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.2V, 2.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.7 nC @ 2.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
44 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-723
패키지 / 케이스
SOT-723
기본 제품 번호
XP2N

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
5048-XP2N1K2EN1DKR
5048-XP2N1K2EN1TR
5048-XP2N1K2EN1CT
표준 패키지
10,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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