제조업체 제품 번호:
DMG3415U-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMG3415U-13-DG
설명:
MOSFET P-CH DFN-3
상세 설명:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
재고:
12884513
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제출
DMG3415U-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9.1 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
294 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
900mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
DMG3415
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMG3415U-13DI
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SI2399DS-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
7732
부품 번호
SI2399DS-T1-GE3-DG
단가
0.13
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SI2323DDS-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
860
부품 번호
SI2323DDS-T1-GE3-DG
단가
0.15
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
DMG3415UQ-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
3166
부품 번호
DMG3415UQ-7-DG
단가
0.11
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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