DMNH10H028SK3Q-13
제조업체 제품 번호:

DMNH10H028SK3Q-13

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

DMNH10H028SK3Q-13-DG

설명:

MOSFET N-CH 100V 55A TO252
상세 설명:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3

재고:

2080 새로운 원본 재고 있음
12883401
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제출

DMNH10H028SK3Q-13 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
55A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
28mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2245 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252-3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
DMNH10

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
DMNH10H028SK3Q-13DITR
DMNH10H028SK3Q-13DIDKR
31-DMNH10H028SK3Q-13DKR
DMNH10H028SK3Q-13DICT
DMNH10H028SK3Q-13DICT-DG
31-DMNH10H028SK3Q-13CT
31-DMNH10H028SK3Q-13TR
DMNH10H028SK3Q-13DITR-DG
DMNH10H028SK3Q-13DIDKR-DG
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IPD35N10S3L26ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
2802
부품 번호
IPD35N10S3L26ATMA1-DG
단가
0.56
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDD3670
제조사
onsemi
구매 가능 수량
2496
부품 번호
FDD3670-DG
단가
1.04
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IXTY44N10T
제조사
IXYS
구매 가능 수량
0
부품 번호
IXTY44N10T-DG
단가
0.98
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SUD35N10-26P-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
310
부품 번호
SUD35N10-26P-E3-DG
단가
0.81
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDD86102
제조사
onsemi
구매 가능 수량
9890
부품 번호
FDD86102-DG
단가
0.66
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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