제조업체 제품 번호:
DMTH10H4M5LPSW-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMTH10H4M5LPSW-13-DG
설명:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
상세 설명:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
재고:
13242600
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제출
DMTH10H4M5LPSW-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Ta), 107A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4843 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount, Wettable Flank
공급업체 장치 패키지
PowerDI5060-8 (Type UX)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-DMTH10H4M5LPSW-13TR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
대체 모델
부품 번호
DMTH10H4M5LPSWQ-13
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
2450
부품 번호
DMTH10H4M5LPSWQ-13-DG
단가
0.83
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
DMTH10H4M5LPSW
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
2500
부품 번호
DMTH10H4M5LPSW-DG
단가
0.79
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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