제조업체 제품 번호:
FBG04N08ASH
Product Overview
제조사:
EPC Space, LLC
부품 번호:
FBG04N08ASH-DG
설명:
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
상세 설명:
N-Channel 40 V 8A (Tc) Surface Mount 4-SMD
재고:
13002562
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제출
FBG04N08ASH 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
EPC Space
포장
Bulk
시리즈
e-GaN®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.8 nC @ 5 V
Vgs(최대)
+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
312 pF @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
4-SMD
패키지 / 케이스
4-SMD, No Lead
추가 정보
다른 이름들
4107-FBG04N08ASH
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
9A515E1
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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