제조업체 제품 번호:
EPC2108
Product Overview
제조사:
EPC
부품 번호:
EPC2108-DG
설명:
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
상세 설명:
Mosfet Array 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
재고:
1074 새로운 원본 재고 있음
12795183
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제출
EPC2108 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
EPC
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
eGaN®
제품 상태
Obsolete
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
구성
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V, 100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
전력 - 최대
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
9-VFBGA
공급업체 장치 패키지
9-BGA (1.35x1.35)
기본 제품 번호
EPC210
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
917-1169-1
917-1169-2
917-1169-6
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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