제조업체 제품 번호:
FDP8442-F085
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
FDP8442-F085-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
상세 설명:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
750 새로운 원본 재고 있음
12996592
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제출
FDP8442-F085 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
12200 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
254W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FDP8442-F085-600039
표준 패키지
219
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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