제조업체 제품 번호:
IRFR120
Product Overview
제조사:
Fairchild Semiconductor
부품 번호:
IRFR120-DG
설명:
8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
상세 설명:
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK
재고:
990 새로운 원본 재고 있음
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제출
IRFR120 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
270mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
추가 정보
다른 이름들
2156-IRFR120-600039
표준 패키지
666
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Affected
DIGI 인증
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