제조업체 제품 번호:
G2K3N10H
Product Overview
제조사:
Goford Semiconductor
부품 번호:
G2K3N10H-DG
설명:
MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223
상세 설명:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount SOT-223
재고:
2265 새로운 원본 재고 있음
13001316
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제출
G2K3N10H 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
434 pF @ 50 V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
2.4W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-223
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
3141-G2K3N10HCT
3141-G2K3N10HDKR
4822-G2K3N10HTR
3141-G2K3N10HTR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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