제조업체 제품 번호:
G60N10T
Product Overview
제조사:
Goford Semiconductor
부품 번호:
G60N10T-DG
설명:
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
상세 설명:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220
재고:
86 새로운 원본 재고 있음
12999086
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제출
G60N10T 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Goford Semiconductor
포장
Tube
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3970 pF @ 50 V
FET 기능
Standard
전력 손실(최대)
132W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
3141-G60N10T
4822-G60N10T
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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