BSS127H6327XTSA2
제조업체 제품 번호:

BSS127H6327XTSA2

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BSS127H6327XTSA2-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

재고:

101483 새로운 원본 재고 있음
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제출

BSS127H6327XTSA2 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
21mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.6V @ 8µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
28 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
500mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-SOT23
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
BSS127

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BSS127H6327XTSA2TR
BSS127H6327XTSA2DKR
BSS127H6327XTSA2CT
SP000919332
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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