제조업체 제품 번호:
IMW120R350M1HXKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IMW120R350M1HXKSA1-DG
설명:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
상세 설명:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
재고:
1216 새로운 원본 재고 있음
12799581
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제출
IMW120R350M1HXKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolSiC™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V, 18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
455mOhm @ 2A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.7V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.3 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
182 pF @ 800 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
60W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO247-3-41
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
IMW120
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001808376
2156-IMW120R350M1HXKSA1-448
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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