제조업체 제품 번호:
IPAN80R280P7XKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPAN80R280P7XKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
상세 설명:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
재고:
23 새로운 원본 재고 있음
12853025
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPAN80R280P7XKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™ P7
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
17A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 360µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1200 pF @ 500 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
30W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3-FP
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
IPAN80
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-IPAN80R280P7XKSA1-448
SP001632934
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPA80R280P7XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
486
부품 번호
IPA80R280P7XKSA1-DG
단가
1.32
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
HAT2266H-EL-E
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
2SK3793-AZ
MOSFET N-CH 100V 12A TO220
MCH6341-TL-H
MOSFET P-CH 30V 5A 6MCPH
