IPD60R600CPATMA1
제조업체 제품 번호:

IPD60R600CPATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPD60R600CPATMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 6.1A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

재고:

12853099
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

IPD60R600CPATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™ CP
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 220µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
550 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
60W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO252-3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
IPD60R

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP000680642
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FCD850N80Z
제조사
onsemi
구매 가능 수량
15910
부품 번호
FCD850N80Z-DG
단가
0.96
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD8N60DM2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
3630
부품 번호
STD8N60DM2-DG
단가
0.54
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CDM7-600LR TR13 PBFREE
제조사
Central Semiconductor Corp
구매 가능 수량
2239
부품 번호
CDM7-600LR TR13 PBFREE-DG
단가
0.57
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TSM70N600CP ROG
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
5
부품 번호
TSM70N600CP ROG-DG
단가
1.18
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK9P65W,RQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
0
부품 번호
TK9P65W,RQ-DG
단가
0.73
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
renesas-electronics-america

HAT2033RWS-E

MOSFET N-CH 60V 7A 8SOP

renesas-electronics-america

2SK3811-ZP-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 110A TO263

infineon-technologies

IPP70N10S3L12AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3