제조업체 제품 번호:
IPAW60R600P7SXKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
상세 설명:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
재고:
1 새로운 원본 재고 있음
12802694
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제출
IPAW60R600P7SXKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™ P7
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 80µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
363 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
21W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-FP
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
IPAW60
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-IPAW60R600P7SXKSA1
SP001618082
IFEINFIPAW60R600P7SXKSA1
표준 패키지
45
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPA60R600P7SXKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
689
부품 번호
IPA60R600P7SXKSA1-DG
단가
0.35
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
STF11N60M2-EP
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
998
부품 번호
STF11N60M2-EP-DG
단가
0.67
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPA60R600P7SE8228XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
500
부품 번호
IPA60R600P7SE8228XKSA1-DG
단가
0.35
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
TK9A65W,S5X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
0
부품 번호
TK9A65W,S5X-DG
단가
0.84
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STF11NM60ND
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
991
부품 번호
STF11NM60ND-DG
단가
1.81
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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