STF11N60M2-EP
제조업체 제품 번호:

STF11N60M2-EP

Product Overview

제조사:

STMicroelectronics

부품 번호:

STF11N60M2-EP-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
상세 설명:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

재고:

998 새로운 원본 재고 있음
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제출

STF11N60M2-EP 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
MDmesh™ M2-EP
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.75V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
390 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
25W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220FP
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
STF11

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
STF11N60M2-EP-DG
497-STF11N60M2-EP
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FCPF600N60Z
제조사
Fairchild Semiconductor
구매 가능 수량
171833
부품 번호
FCPF600N60Z-DG
단가
1.20
대체 유형
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