제조업체 제품 번호:
IPB60R299CPATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB60R299CPATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
재고:
12803419
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제출
IPB60R299CPATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™ CP
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 440µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
96W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB60R
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPB60R299CP
IPB60R299CPATMA1TR
IPB60R299CP-DG
IPB60R299CPATMA1-DG
IPB60R299CPDKR
IPB60R299CPTR-DG
IPB60R299CPCT-DG
2156-IPB60R299CPATMA1
IPB60R299CPDKR-DG
INFINFIPB60R299CPATMA1
IPB60R299CPCT
IPB60R299CPATMA1DKR
IPB60R299CPATMA1CT
SP000301161
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPB60R280P7ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1086
부품 번호
IPB60R280P7ATMA1-DG
단가
0.85
대체 유형
Direct
부품 번호
R6015ENJTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
4
부품 번호
R6015ENJTL-DG
단가
1.65
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
R6011ENJTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
0
부품 번호
R6011ENJTL-DG
단가
1.56
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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