IPD70R600CEAUMA1
제조업체 제품 번호:

IPD70R600CEAUMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPD70R600CEAUMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
상세 설명:
N-Channel 700 V 10.5A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

재고:

13064175
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제출

IPD70R600CEAUMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™ CE
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 210µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
474 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
86W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO252-3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
IPD70

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2156-IPD70R600CEAUMA1
ROCINFIPD70R600CEAUMA1
SP001466998
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STD12N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
4977
부품 번호
STD12N60M2-DG
단가
0.59
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD10NM60ND
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2200
부품 번호
STD10NM60ND-DG
단가
0.83
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK7P60W,RVQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1994
부품 번호
TK7P60W,RVQ-DG
단가
0.79
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPD70R600P7SAUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
12894
부품 번호
IPD70R600P7SAUMA1-DG
단가
0.26
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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