IPL65R195C7AUMA1
제조업체 제품 번호:

IPL65R195C7AUMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPL65R195C7AUMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
상세 설명:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

재고:

2977 새로운 원본 재고 있음
12803532
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제출

IPL65R195C7AUMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
CoolMOS™ C7
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 290µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
75W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-VSON-4
패키지 / 케이스
4-PowerTSFN
기본 제품 번호
IPL65R

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
IPL65R195C7AUMA1-DG
INFINFIPL65R195C7AUMA1
448-IPL65R195C7AUMA1DKR
2156-IPL65R195C7AUMA1
SP001032726
448-IPL65R195C7AUMA1CT
448-IPL65R195C7AUMA1TR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
2A (4 Weeks)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FCMT199N60
제조사
onsemi
구매 가능 수량
18529
부품 번호
FCMT199N60-DG
단가
2.36
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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