제조업체 제품 번호:
FCMT199N60
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCMT199N60-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
상세 설명:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount Power88
재고:
18529 새로운 원본 재고 있음
12838531
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제출
FCMT199N60 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
SuperFET® II
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2950 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
208W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
Power88
패키지 / 케이스
4-PowerTSFN
기본 제품 번호
FCMT199
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSONSFCMT199N60
FCMT199N60CT
FCMT199N60TR
2156-FCMT199N60-OS
FCMT199N60DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPL60R185P7AUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
5980
부품 번호
IPL60R185P7AUMA1-DG
단가
1.15
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