제조업체 제품 번호:
IPS60R650CEAKMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPS60R650CEAKMA1-DG
설명:
CONSUMER
상세 설명:
N-Channel 600 V 9.9A (Tj) 82W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
재고:
12808647
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제출
IPS60R650CEAKMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.9A (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
82W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO251-3
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
IPS60R650
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001471280
2156-IPS60R650CEAKMA1
INFINFIPS60R650CEAKMA1
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPS60R600PFD7SAKMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
21
부품 번호
IPS60R600PFD7SAKMA1-DG
단가
0.70
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK8Q65W,S1Q
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
5
부품 번호
TK8Q65W,S1Q-DG
단가
0.65
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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