제조업체 제품 번호:
IPW60R190E6FKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPW60R190E6FKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
재고:
190 새로운 원본 재고 있음
12817340
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제출
IPW60R190E6FKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 630µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1400 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
151W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO247-3-1
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
IPW60R190
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPW60R190E6
SP000797384
IPW60R190E6-DG
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
FCH190N65F-F155
제조사
onsemi
구매 가능 수량
415
부품 번호
FCH190N65F-F155-DG
단가
2.95
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STW30N80K5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STW30N80K5-DG
단가
4.39
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STW27N60M2-EP
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STW27N60M2-EP-DG
단가
1.60
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STW18N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
476
부품 번호
STW18N60M2-DG
단가
1.26
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STW24N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
562
부품 번호
STW24N60M2-DG
단가
1.39
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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