IRF5850TR
제조업체 제품 번호:

IRF5850TR

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IRF5850TR-DG

설명:

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
상세 설명:
Mosfet Array 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP

재고:

12805827
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제출

IRF5850TR 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.2A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
320pF @ 15V
전력 - 최대
960mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
기본 제품 번호
IRF58

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP001564468
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095

대체 모델

부품 번호
FDC6310P
제조사
onsemi
구매 가능 수량
7945
부품 번호
FDC6310P-DG
단가
0.18
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDC6312P
제조사
onsemi
구매 가능 수량
7879
부품 번호
FDC6312P-DG
단가
0.18
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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