제조업체 제품 번호:
IRF6641TR1PBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF6641TR1PBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
상세 설명:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
재고:
12823387
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제출
IRF6641TR1PBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.9V @ 150µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2290 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DIRECTFET™ MZ
패키지 / 케이스
DirectFET™ Isometric MZ
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IRF6641TR1PBFDKR
IRF6641TR1PBFTR
SP001563484
IRF6641TR1PBFCT
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF6641TRPBF
제조사
International Rectifier
구매 가능 수량
720
부품 번호
IRF6641TRPBF-DG
단가
1.85
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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