제조업체 제품 번호:
IRF6892STR1PBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF6892STR1PBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET
상세 설명:
N-Channel 25 V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
재고:
12808615
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제출
IRF6892STR1PBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.1V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2510 pF @ 13 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DIRECTFET™ S3C
패키지 / 케이스
DirectFET™ Isometric S3C
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IRF6892STR1PBFDKR
SP001526954
IRF6892STR1PBFCT
IRF6892STR1PBFTR
IRF6892STR1PBF-DG
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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