제조업체 제품 번호:
SPA08N80C3XKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
SPA08N80C3XKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
상세 설명:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
재고:
12805988
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SPA08N80C3XKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.9V @ 470µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
40W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3-31
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
SPA08N80
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SPA08N80C3XTIN
SP000216310
SPA08N80C3IN-NDR
INFINFSPA08N80C3XKSA1
SPA08N80C3
SPA08N80C3XK
SPA08N80C3IN
SPA08N80C3X
SPA08N80C3IN-DG
SPA08N80C3XTIN-DG
2156-SPA08N80C3XKSA1
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK6A60W,S4VX
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
45
부품 번호
TK6A60W,S4VX-DG
단가
0.84
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP10NK80ZFP
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
999
부품 번호
STP10NK80ZFP-DG
단가
1.94
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IRF7457TRPBF
MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
IRF9Z24NPBF
MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
IRLL3303
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223