제조업체 제품 번호:
IRFH7934TRPBF
Product Overview
제조사:
International Rectifier
부품 번호:
IRFH7934TRPBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
상세 설명:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 76A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
재고:
4649 새로운 원본 재고 있음
12946845
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFH7934TRPBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
24A (Ta), 76A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 24A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.35V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3100 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.1W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
INFIRFIRFH7934TRPBF
2156-IRFH7934TRPBF
표준 패키지
466
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
관련 상품
FDS8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FCPF7N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FQU2N90TU-AM002
MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK