IXFK32N50Q
제조업체 제품 번호:

IXFK32N50Q

Product Overview

제조사:

IXYS

부품 번호:

IXFK32N50Q-DG

설명:

MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
상세 설명:
N-Channel 500 V 32A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

재고:

12916614
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

IXFK32N50Q 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
-
시리즈
HiPerFET™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
32A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
160mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3950 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
416W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-264AA (IXFK)
패키지 / 케이스
TO-264-3, TO-264AA
기본 제품 번호
IXFK32

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
25

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SIHH26N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHP22N60EL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SI7405BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIS452DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8