제조업체 제품 번호:
GAN3R2-100CBEAZ
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
GAN3R2-100CBEAZ-DG
설명:
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
상세 설명:
N-Channel 100 V 60A 394W Surface Mount 8-WLCSP (3.5x2.13)
재고:
1076 새로운 원본 재고 있음
13005796
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
GAN3R2-100CBEAZ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
60A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 9mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs(최대)
+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1000 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
394W
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-WLCSP (3.5x2.13)
패키지 / 케이스
8-XFBGA, WLCSP
기본 제품 번호
GAN3R2
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1727-GAN3R2-100CBEAZDKR
5202-GAN3R2-100CBEAZTR
934665899341
1727-GAN3R2-100CBEAZCT
1727-GAN3R2-100CBEAZTR
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
R6061YNZ4C13
NCH 600V 61A, TO-247, POWER MOSF
IAUCN04S7N004ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
TPH9R00CQ5,LQ
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
