제조업체 제품 번호:
PSMN1R9-40PL,127
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
PSMN1R9-40PL,127-DG
설명:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
상세 설명:
N-Channel 40 V 150A (Ta) 349W (Ta) Through Hole TO-220AB
재고:
12947725
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제출
PSMN1R9-40PL,127 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
150A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
13200 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
349W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
PSMN1R9
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NEXNEXPSMN1R9-40PL,127
2156-PSMN1R9-40PL,127-NEX
표준 패키지
173
환경 및 수출 분류
(주)헤수스
0000.00.0000
DIGI 인증
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