제조업체 제품 번호:
PSMN1R9-40YSDX
Product Overview
제조사:
Nexperia USA Inc.
부품 번호:
PSMN1R9-40YSDX-DG
설명:
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
상세 설명:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 194W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
재고:
1007 새로운 원본 재고 있음
13270305
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제출
PSMN1R9-40YSDX 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Nexperia
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.6V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6198 pF @ 20 V
FET 기능
Schottky Diode (Body)
전력 손실(최대)
194W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스
SC-100, SOT-669
기본 제품 번호
PSMN1R9
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1727-PSMN1R9-40YSDXDKR
5202-PSMN1R9-40YSDXTR
934660733115
1727-PSMN1R9-40YSDXCT
1727-PSMN1R9-40YSDXTR
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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